Η Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. apresentado oficialmente em Simpósio de Tecnologia TSMC 2022, sua tecnologia de fabricação N2 (categoria 2 nm)
O seu primeiro nó TSMC na categoria de 2 nm usará transistores de efeito de campo (GAAFETs - transistores de efeito de campo de gate-all-around) e o novo processo de fabricação oferecerá vantagens de desempenho e potência, mas em termos de densidade do transistor, dificilmente impressionará em 2025 quando for lançado.
Sendo uma plataforma de tecnologia de processo totalmente nova, a N2 de TSMC traz duas inovações chave: transistores nanofoil (que é o que T chamaSMC como GAAFET) e trilho de alimentação traseiro servindo ao mesmo propósito de aumentar as características de desempenho por watt do nó.
Os transistores nanofoil GAA têm canais cercados por portões nos quatro lados, o que reduz o vazamento. Além disso, seus canais podem ser ampliados para aumentar o fluxo de tráfego e aumentar a eficiência ou diminuir para minimizar o consumo de energia e os custos.
Para alimentar esses transistores nanofoil com energia suficiente e agora desperdiçar qualquer um deles, o N2 de TSMC usa fonte de alimentação na parte traseira, que é considerada uma das melhores soluções para combater resistores de final de linha (beol).
De fato, em termos de eficiência e consumo de energia, o nó N2 baseado em nano TSMC pode alcançar Rendimento 10% a 15% maior com o mesmo poder e complexidade, e 25% a 30% menor consumo de energia na mesma frequência e número de transistores em comparação com TSMC N3E. No entanto, o novo nó aumenta a densidade do chip em apenas cerca de 1,1X em comparação com o N3E.
Em geral, o N3 de TSMC oferece aumentos de eficiência de nó total e reduções de consumo de energia. Mas em termos de densidade, a nova tecnologia dificilmente pode impressionar. Por exemplo, o nó N3E das ofertas da TSMC 1,3X aumento na densidade do chip em comparação com N5, que é um aumento significativo.
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